1-2. MOSFET 기출문제 분석

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반도체 기출문제 분석 1-1. PN다이오드 기출문제 분석 1-3. BJT 특징 기출문제 분석 1-4. 다이오드 종류 기출문제 분석 1-5. 반도체이론 기출문제 분석 MOSFET 특징 기출 이력 국가직: 21년, 20년, 19년, 18년, 17년, 16년, 15년, 14년 지방직(서울시): 21년(고졸), 18년, 14년 국회직: 19년, 17년, 15년   MOSFET 특징 정답 선지 NMOS에서 게이트는 소스보다 높은 전위를 가진다.(19-국) NMOS에서 드레인은 … Read more

1-1. PN 다이오드 기출문제 분석

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반도체 기출분제 분석 1-2. MOSFET 기출문제 분석 1-3. BJT 특징 기출문제 분석 1-4. 다이오드 종류 기출문제 분석 1-5. 반도체이론 기출문제 분석 PN 다이오드 기출 이력 국가직: 22년, 19년, 16년, 14년, 지방직(서울시): 21년(고졸), 20년, 19년(고졸), 19년, 17년, 16년, 10년, 9년 국회직: 16년, 15년,   PN 다이오드 특징 정답 선지 PN접합 부근에서는 전하 캐리어가 고갈되어 공핍영역이 생긴다.(22-국가직) … Read more