목차
반도체 기출분제 분석
PN 다이오드 기출 이력
- 국가직: 22년, 19년, 16년, 14년,
- 지방직(서울시): 21년(고졸), 20년, 19년(고졸), 19년, 17년, 16년, 10년, 9년
- 국회직: 16년, 15년,
PN 다이오드 특징 정답 선지
- PN접합 부근에서는 전하 캐리어가 고갈되어 공핍영역이 생긴다.(22-국가직)
- PN접합을 사이에 두고 공핍영역 양쪽 전계의 전위차가 발생하는데 이를 전위장벽이라 한다.(22-국가직)
- PN접합이 형성되는 순간 접합 근처의 N영역에 있던 자유 전자는 접합을 넘어 P영역으로 확산되어 접합 근처의 정공과 재결합한다.(22-국가직)
- 진성 반도체를 불순물 반도체로 만들기 위해 분순물을 섞는 과정을 도핑이라고 한다.(21-서울고졸)
- P영역에서의 소수 캐리어는 전자이다.(19-서울)
- 순바이어스 상태에서 과잉 소수 캐리어의 농도는 공핍층의 가장자리에서 가장 높다.(19-서울)
- 드리프트 전류의 크기는 바이어스 전압의 크기와 무관하다.(19-서울)
- 역방향 바이어스가 증가하면 접합부 정전용량은 작아진다.(19-국가직)
>>역방향 바이어스 증가-공핍층 증가-공핍층 커패시턴스 두께 증가-공핍층 커패시턴스 감소
- 순방향 바이어스를 인가할 경우, 전위장벽이 낮아진다.(16-국가직)
- 역방향 바이어스를 인가할 경우, 공핍영역은 확장한다.(16-국가직)
- 평형상태에서 pn 접합부에는 공핍영역이 존재한다.(16-국가직)
- 3가 불순물로 도핑된 실리콘을 N형 반도체라 하고 다수캐리어는 전자이다.(15-국회직)
- 실리콘 결정체는 상온에서 전자-정공쌍이 지속적으로 발생하고 소멸된다.(15-국회직)
- PN접합시 공핍층에서 정공은 소멸하고 자유전자는 가전자가 된다.(15-국회직)
- 최외각 궤도에 4개의 가전자를 갖는 원소를 주로 진성반도체로 사용한다.(15-국회직)
PN 다이오드 특징 오답 선지
- PN접합의 N영역 접합 부근은 음전하 층이 형성되고, P영역 접합 부근은 양전하 층이 형성된다.(22-국가직)
>> 공핍영역이 형성된다.
- P형 반도체를 만들기 위해 첨가하는 불순물을 도너라고 한다.(21-서울고졸)
>> 억셉터이다.
- 반도체에 불순물을 넣으면 전류를 흐르게 하는 입자가 많아지기 때문에 전도도가 나빠진다.(21-서울고졸)
>> 불순물이 많아지면 전도도가 좋아진다.
- N형 반도체를 만들기 위해 첨가하는 불순물에는 붕소(B), 알루미늄(AI), 갈륨(Ga), 인듐(In)이 있다.(21-서울고졸)
>> 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb)이다.
- 순바이어스 상태에서는 확산전류와 드리프트 전류의 크기가 같다.(19-서울)
>> 순바이어스 상태에서 에너지 장벽이 낮아져서 확산전류의 크기가 크다.
- 순방향 바이어스가 인가되면 공핍영역 폭이 넓어진다.(19-국가직)
>> 공핍영역 폭이 좁아진다.
- 순방향 바이어스가 인가되면 P형 영역의 정공만이 N형 쪽으로 주입된다.(19-국가직)
>> 정공, 전자 모두 이동한다.
- 역방향 바이어스가 증가하면, 공핍영역의 양이온과 음이온 사이에 발생하는 전계의 세기는 감소한다.(19-국가직)
>> 해당 조건에서는 전계의 세기는 증가한다.
- 역방향 바이어스를 인가할 경우, N 영역으로 확산되는 정공의 수가 증가한다.(16-국가직)
>> 역방향 바이어스는 확산이 일어나지 않는다.
PN 다이오드 기출문제 PDF
