1-2. MOSFET 기출문제 분석

반도체 기출문제 분석

1-1. PN다이오드 기출문제 분석

1-3. BJT 특징 기출문제 분석

1-4. 다이오드 종류 기출문제 분석

1-5. 반도체이론 기출문제 분석

MOSFET 특징 기출 이력

• 국가직: 21년, 20년, 19년, 18년, 17년, 16년, 15년, 14년
• 지방직(서울시): 21년(고졸), 18년, 14년
• 국회직: 19년, 17년, 15년

 

MOSFET 특징 정답 선지

• NMOS에서 게이트는 소스보다 높은 전위를 가진다.(19-국)

• NMOS에서 드레인은 소스보다 높은 전위를 가진다.(19-국)

• NMOS에서 채널 길이가 짧아질수록 문턱전압은 감소한다.(18-국)

• NMOS에서 드레인-소스 전압이 증가할수록 문턱전압은 감소한다.(18-국)

• 기판의 도핑농도가 클수록 문턱전압은 증가한다.(18-국)

• PMOS에서 선형 및 포화영역 동작은 전류 반송자의 드리프트 현상에 의한다.(17-국)

• PMOS는 CMOS 집적회로에 사용되는 소자이다.(17-국)

• NMOS에서 많은 전류를 얻기위하여 게이트 산화막의 두께를 줄인다.(17-국)

• NMOS에서 게이트와 소스 사이가 0V일 때 차단 상태가 된다.(17-국회)

• NMOS에서 게이트-소스 전압이 양의 값으로 증가할수록 드레인 전류는 증가한다.(17-국회)

• NMOS에서 게이트-소스 전압이 문턱전압보다 낮은 경우 드레인 전류는 흐르지 않는다.(17-국회)

• NMOS에서 포화영역에서는 게이트-소스 전압이 증가하면 드레인 전류는 의 제곱에 비례하여 증가한다.(17-국회)

• 금속-산화물-반도체 구조로 게이트부가 절연되어 있어 게이트 전류는 극히 작게 흐른다.(15-국회)

• 증가모드 NMOS는 게이트 +전압을 인가하여 소스와 드레인사이 전류를 증가시킨다.(15-국회)

• 공핍모드 NMOS 게이트에 -전압을 인가하여 소스와 드레인사이에 흐르는 전류를 차단하므로 JFET와 유사하게 동작된다.(15-국회)

• MOSFET 게이트는 PN접합구조가 아니라는 면에서 JFET와 다르다.(15-국회)

• N채널 증가형 MOSFET는 포화영역에서 동작하기 위해서 채널이 드레인 끝에서 핀치오프되어야한다. 즉, 드레인 전압이 게이트 전압 아래로 문턱전압보다 더 떨어지지 않아야 한다. (14-국)

• P채널 증가형 MOSFET는 트라이오드 영역에서 동작하기 위해서 드레인 전압이 게이트 전압보다 적어도 문턱전압 만큼 초과해야 한다.(14-국)

– 포화영역에서 동일한 바이어스 전류를 사용하는 공통 드레인 증폭기의 소신호 입력 저항은 공통 게이트 증폭기          의 소신호 입력 저항보다 크다.(21-국)

 

MOSFET 특징 오답 선지

• NMOS에서 전자가 드레인에서 소스로 흘러 전류가 발생한다.(19-국)

>> 소스=자원, 드레인=빨아들임, 따라서 소스에서 드레인으로 전자는 이동한다.

• 채널 폭이 좁아질수록 문턱전압은 감소한다.(18-국)

>> 전자가 지나가는 구간이 좁아지므로 문턱전압은 증가한다.

• PMOS에서 선형 및 포화영역 동작에서 전류 반송자는 전자이다.(17-국)

>> PMOS에서 전류 반송자는 정공이다.

• NMOS에서 많은 전류를 얻기위하여 소스와 드레인 전극의 간격을 길게한다.(17-국)

>> 소스와 드레인 전극의 간격을 짧게해야한다.

• NMOS에서 많은 전류를 얻기위하여 유전율이 낮은 게이트 산화막으로 교체한다.(17-국)

>> 유전율이 높은 게이트 산화막으로 교체한다.

• NMOS에서 많은 전류를 얻기위하여 실리콘을 전자 이동도가 낮은 물질로 대체한다.(17-국)

>> 실리콘을 전자 이동도가 높은 물질로 대체한다.

• 문턱전압은 -1V 근처의 음의 값을 가진다.(17-국회)

>> 문턱전압은 0.7V 근처의 값을 가진다.

• MOSFET는 공핍 또는 증가모드에서 동작할 수 있고, 입력임피던스는 일반적으로 JFET보다 충분히 낮다.(15-국회)

>> MOSFET은 게이트부가 절연되어 있어 게이트 전류는 작게 흐른다. 입력임피던스는 충분히 크다.

• 포화영역에서 공통 소스 증폭기는 소신호 입력 저항이 작기 때문에 전압 증폭기로 사용하기에 적합하지 않다.(21-국)

>> 공통 소스 증폭기는 입력 저항이 작지 않고 전압 증폭기로 사용한다.

• 포화영역에서 드레인 증폭기는 소신호 전압 이득이 크기 때문에 전압 증폭기로 사용하기에 적합하다.(21-국)

>> 공통 드레인 증폭기는 소신호 전압 이득이 크지 않다.

• 포화영역에서 동일한 바이어스 전류를 사용하는 공통 소스 증폭기의 소신호 출력 저항은 공통 드레인 증폭기의 소신호 출력 저항보다 작다.(21-국)

>> 공통 소스 증폭기는 전압 증폭기로 사용하기 때문에 출력 저항은 공통 드레인 증폭기 소신호 출력 저항보                다 크다.

 

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