2-3. RLC 회로 기출문제 분석

회로이론 기출문제 분석 2-1. 다이오드 파형,값 기출문제 분석 2-2. 권선비 기출문제 분석 RLC 회로 기출문제 이력 국가직: 22년, 18년, 17년, 16년, 15년, 14년, 09년, 08년 지방직(서울시): 21년, 18년, 17년, 15년, 14년, 12년, 10년, 09년 국회직: 17년, 16년, 15년, 14년   RLC 회로 기출문제 분석 RLC회로 RLC 회로는 저항(Resistor, R), 인덕터(Inductor, L), 그리고 커패시터(Capacitor, C)로 구성된 … Read more

2-2. 권선비 기출문제 분석

회로이론 기출문제 분석 2-1. 다이오드 파형,값 기출문제 분석   권선비 기출문제 이력 국가직: 13년, 10년 지방직(서울시): 16년, 09년 국회직: 19년, 17년   권선비 기출문제 분석 권선비 개념만 잘 이해하면 쉽게 푸는 문제입니다. 전자공학개론에서 먹고 들어가는 문제 중 하나입니다. 권선비 $$a=\frac{N_1}{N_2}=\frac{V_1}{V_2}=\frac{I_2}{I_1}=\frac{\sqrt{Z_1}}{\sqrt{Z_2}}$$ $$N=권선수, V=전압, I=전류, Z=임피던스$$ 권선수는 전압[V]과 임피던스[Z]에 비례하고 전류[I]와 반비례한다. 16년도 서울시 전자공학개론 문제 $$권선비 … Read more

2-1. 다이오드 파형,값 기출문제 분석

회로이론 기출문제 2-2. 권선비 기출문제 분석 다이오드 파형, 값 기출문제 이력 국가직: 22년, 21년, 20년, 17년, 16년, 14년, 13년, 12년, 09년, 08년 지방직(서울시): 22년, 20년(고졸), 18년(고졸), 18년, 15년, 14년, 12년, 11년, 09년 국회직: 21년, 20년, 18년, 17년, 16년, 15년   다이오드 파형, 값 기출문제 분석 PN다이오드, 제너다이오드 회로에 관한 문제들이 주로 출제된다. 1)PN다이오드 – Forward … Read more

1-5. 반도체이론 기출문제 분석

반도체 기출문제 1-1. PN 다이오드 기출문제 분석 1-2. MOSFET 기출문제 분석 1-3. BJT 특징 기출문제 분석 1-4. 다이오드 종류 기출문제 분석   반도체 이론 기출문제 이력 국가직: 15년, 14년, 13년, 11년, 지방직(서울시): 21년(고졸), 20년(고졸), 18년, 15년, 09년 국회직: 20년, 19년   반도체 이론 에너지밴드 : 결정 내 전자, 정공이 자유로이 이동 가능한 에너지 대역 전도대 … Read more

1-4. 다이오드 종류 기출문제 분석

반도체 기출문제 1-1. PN 다이오드 기출문제 분석 1-2. MOSFET 기출문제 분석 1-3. BJT 특징 기출문제 분석 1-5. 반도체이론 기출문제 분석   다이오드 종류 기출문제 이력 국가직: 18년, 14년, 13년, 12년, 11년, 07년 지방직(서울시): 20년, 19년(고졸), 12년, 국회직: 20년, 19년,   다이오드 종류  다이오드 종류 – 다이오드는 접합을 갖거나, 벌트형이거나, 이 모두를 지칭하는 2단자 반도체 소자를 … Read more

1-3. BJT 특징 기출문제 분석

반도체 기출문제 분석 1-1. PN다이오드 기출문제 분석 1-2. MOSFET 기출문제 분석 1-4. 다이오드 종류 기출문제 분석 1-5. 반도체이론 기출문제 분석   BJT 특징 기출 이력 국가직: 19년, 15년 지방직(서울시): 20년(고졸), 16년 국회직: 21년, 15년   BJT 특징 정답 선지 PNP BJT 소자가 활성영역에서 베이스에 흐르는 전류를 구성하는 성분은 이미터 접합에 가해진 순방향 전압에 의해 베이스에서 … Read more

1-2. MOSFET 기출문제 분석

반도체 기출문제 분석 1-1. PN다이오드 기출문제 분석 1-3. BJT 특징 기출문제 분석 1-4. 다이오드 종류 기출문제 분석 1-5. 반도체이론 기출문제 분석 MOSFET 특징 기출 이력 국가직: 21년, 20년, 19년, 18년, 17년, 16년, 15년, 14년 지방직(서울시): 21년(고졸), 18년, 14년 국회직: 19년, 17년, 15년   MOSFET 특징 정답 선지 NMOS에서 게이트는 소스보다 높은 전위를 가진다.(19-국) NMOS에서 드레인은 … Read more

1-1. PN 다이오드 기출문제 분석

반도체 기출분제 분석 1-2. MOSFET 기출문제 분석 1-3. BJT 특징 기출문제 분석 1-4. 다이오드 종류 기출문제 분석 1-5. 반도체이론 기출문제 분석 PN 다이오드 기출 이력 국가직: 22년, 19년, 16년, 14년, 지방직(서울시): 21년(고졸), 20년, 19년(고졸), 19년, 17년, 16년, 10년, 9년 국회직: 16년, 15년,   PN 다이오드 특징 정답 선지 PN접합 부근에서는 전하 캐리어가 고갈되어 공핍영역이 생긴다.(22-국가직) … Read more